Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BSD223P L6327
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSD223P L6327-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12834324
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSD223P L6327 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
390mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1.5µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.62nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
56pF @ 15V
Leistung - Max
250mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT363-PO
Basis-Produktnummer
BSD223
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BSD223P L6327
HTML-Datenblatt
BSD223P L6327-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SP000245417
BSD223P L6327-DG
BSD223PL6327
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMP2004DWK-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2954
TEILNUMMER
DMP2004DWK-7-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSC0911NDATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
AUIRF7304QTR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
CPH6635-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.4A 6CPH
ECH8654-TL-HX
MOSFET